Tractability properties of the weighted star discrepancy of regular grids
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Tractability properties of the weighted star discrepancy
Tractability properties of various notions of discrepancy have been intensively studied in the last decade. In this paper we consider the so-called weighted star discrepancy which was introduced by Sloan and Woźniakowski. We show that under a very mild condition on the weights one can obtain tractability with s-exponent zero (s is the dimension of the point set). In the case of product weights ...
متن کاملcontrol of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولBounds for the weighted Lp discrepancy and tractability of integration
Quite recently Sloan and Woźniakowski [4] introduced a new notion of discrepancy, the so called weighted L discrepancy of points in the d-dimensional unit cube for a sequence γ = (γ1, γ2, . . .) of weights. In this paper we prove a nice formula for the weighted L discrepancy for even p. We use this formula to derive an upper bound for the average weighted L discrepancy. This bound enables us to...
متن کاملmodification of nanoclay for improving the physico-mechanical properties of dental adhesives
هدف اصلی این مطالعه تهیه یک سامانه نوین چسب عاجی دندانی بر پایه نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید و نانورس پیوند شده با کیتوسان اصلاح شده با گلایسیدیل متاکریلات است. پیوند پلی متاکریلیک اسید و پلی اکریلیک اسید بر ری سطح نانورس در حضور و ...
investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes
boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Complexity
سال: 2018
ISSN: 0885-064X
DOI: 10.1016/j.jco.2017.12.003